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SI4684DY-T1-E3 PDF预览

SI4684DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-20 23:54:22
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 242K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4684DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：7.89配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.5 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.0094 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：4.45 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4684DY-T1-E3 数据手册

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Si4684DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
16  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.0094 at VGS = 10 V  
0.0115 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
Extremely Low Qgd for Low Switching Losses  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
30  
14 nC  
14  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
High-Side DC/DC Conversion  
- Notebook  
SO-8  
- Server  
D
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
S
Ordering Information:  
Si4684DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4684DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
12  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
16  
12.9  
12b, c  
9.5b, c  
50  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
4.0  
2.3b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
20  
L = 0.1 mH  
EAS  
20  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
4.45  
2.85  
2.50b, c  
1.6b, c  
- 55 to 150  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
36  
22  
50  
28  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 90 °C/W.  
Document Number: 73324  
S11-0209-Rev. D, 14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
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SI4684DY-T1-E3 替代型号

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