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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4162DY-T1-GE3
SI4162DY-T1-GE3 PDF预览

SI4162DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-30 12:26:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 261K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4162DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：3.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：19.3 A最大漏源导通电阻：0.0079 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4162DY-T1-GE3 数据手册

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Si4162DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
RoHS  
19.3a  
17.1a  
0.0079 at VGS = 10 V  
0.010 at VGS = 4.5 V  
COMPLIANT  
30  
8.8 nC  
• 100 % UIS Tested  
APPLICATIONS  
•
DC/DC  
- High Side  
- VRM  
SO-8  
D
- POL  
- Server  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4162DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
30  
20  
Unit  
V
19.3a  
15.4  
13.6b, c  
10.9b, c  
70  
31  
48  
4.2a  
2.1b, c  
5
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IDM  
IAS  
EAS  
L = 0.1 mH  
mJ  
A
T
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
3.2  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
2.5b, c  
1.6b, c  
- 55 to 150  
260  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
38  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
25  
°C/W  
20  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 68967  
S-82621-Rev. A, 03-Nov-08  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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