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SI4176DY-T1-GE3 PDF预览

SI4176DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-30 20:50:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 207K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4176DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4176DY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4176DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
12a  
0.020 at VGS = 10 V  
0.027 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
30  
4.7 nC  
10.4  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switch  
Low Current dc-to-dc  
Notebook  
SO-8  
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
D
D
D
D
S
G
G
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information:  
Si4176DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
30  
20  
Unit  
V
12a  
9.7  
8.3b, c  
6.6b, c  
40  
4.2  
2b, c  
10  
5
5
3.2  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.4b, c  
1.5b, c  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
RthJA  
RthJF  
42  
53  
°C/W  
19  
25  
Notes:  
a. Package Limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 65539  
S09-2430-Rev. A, 16-Nov-09  
www.vishay.com  
1
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SI4176DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4176DY-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI4712DY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4166DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 20.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与SI4176DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4178DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4178DY-T1-GE3 VISHAY

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 		SI-42002

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