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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0088 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 7.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI-42001 | BEL |
获取价格 |
Telecom and Datacom Connector |
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| SI-42002 | BEL |
获取价格 |
SI-42002 |
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| SI-42003 | BEL |
获取价格 |
SI-42003 |
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| SI4200-BM | SILICON |
获取价格 |
Telecom IC, CMOS, PQCC32 |
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| SI4200-BMR | SILICON |
获取价格 |
Telecom IC, CMOS, PQCC32 |
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| SI4200DB-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, QFN-32 |
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| SI4200DB-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, QFN-32 |
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| SI4200DB-GM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-32 |
|
| SI4200DB-GMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-32 |
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| SI4200DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
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