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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | HVQCCN, LCC32,.2SQ,20 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.76 | JESD-30 代码： | S-XQCC-N32 |
| 长度： | 5 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVQCCN | 封装等效代码： | LCC32,.2SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.7/3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 0.9 mm |
| 子类别： | Other Telecom ICs | 标称供电电压： | 2.85 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 电信集成电路类型： | RF AND BASEBAND CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4200DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
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| SI4200DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI4200-G-GM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-32 |
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| SI4200-G-GMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-32 |
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| SI4200-GM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-32 |
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| SI4200-GMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 5 X 5 MM, LEAD FREE, QFN-32 |
|
| SI4201-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 4 X 4 MM, QFN-20 |
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| SI4201-GM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 4 X 4 MM, LEAD FREE, QFN-20 |
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| SI4201-GMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 4 X 4 MM, LEAD FREE, QFN-20 |
|
| SI4202DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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