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IRF8721TRPBF

更新时间： 2024-09-27 11:55:11
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英飞凌 - INFINEON 转换器电脑
页数 文件大小 规格书
9页 230K
描述
Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power

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IRF8721TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.78雪崩能效等级（Eas）：68 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF8721TRPBF 数据手册

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PD - 97119  
IRF8721PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Control MOSFET of Sync-Buck  
Converters used for Notebook Processor  
Power  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg  
8.3nC  
8.5m @V = 10V  
:
GS  
l Control MOSFET for Isolated DC-DC  
Converters in Networking Systems  
Benefits  
A
A
1
8
S
D
l Very Low Gate Charge  
2
7
S
D
l Low RDS(on) at 4.5V VGS  
3
6
S
D
l Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l 20V VGS Max. Gate Rating  
l Lead-Free  
4
5
G
D
SO-8  
Top View  
Description  
The IRF8721PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the  
industry standard SO-8 package The IRF8721PbF has been optimized for parameters that are  
critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduc-  
tion and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency  
DC-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
14  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
11  
A
110  
2.5  
1.6  
DM  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
W
D
D
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through ꢀ are on page 9  
www.irf.com  
1
07/30/07  
1234567...9

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IRF8721TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF8721PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与IRF8721TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF8721TRPBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
IRF8734 INFINEON

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 		30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
IRF8734PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF8734TRPBF INFINEON

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IRF8736 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF8736PBF-1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
IRF8736TR UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF8736TRPBF INFINEON

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 		Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
IRF8736TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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