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IRF8736

更新时间： 2024-11-03 11:15:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

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IRF8736 数据手册

PD - 97120

IRF8736PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Synchronous MOSFET for Notebook

Processor Power

V_DSS

30V

R_DS(on)max

Qg Typ.

17nC

4.8m @V_GS= 10V

l Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Low Gate Charge

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 100% Tested for R_G

l Lead -Free

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

± 20

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

14.4

144

2.5

Power Dissipation

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.6

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

–––

Notes through ꢀ are on page 9

www.irf.com

08/1/07

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