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IRF8910TRPBF

更新时间： 2024-09-28 21:10:59

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	289K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRF8910TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.13	Base Number Matches：	1

IRF8910TRPBF 数据手册

PD-95673A

IRF8910PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

20V

R_DS(on)max

13.4m @V_GS= 10V

I_D

10A

l Dual SO-8 MOSFET for POL

converters in desktop, servers,

graphics cards, game consoles

and set-top box

l Lead-Free

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 20V V_GSMax. Gate Rating

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

8.3

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.016

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

–––

62.5

Notes through ꢀ are on page 10

www.irf.com

07/09/08

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IRF8910TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8910GTRPBF	INFINEON	类似代替	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and
IRF8910PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRF8910TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF8910TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF8915	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRF8915PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF8915PBF_08	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF8915TRPBF	INFINEON	获取价格	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop
IRF9130	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130	INTERSIL	获取价格	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF9130	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9130	INFINEON	获取价格	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
IRF9130	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS