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IRF8915TRPBF

更新时间： 2024-09-30 12:36:47

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英飞凌 - INFINEON		转换器
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10页	291K
描述
Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop

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IRF8915TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.08
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF8915TRPBF 数据手册

PD - 95858A

IRF8915

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

20V

R_DS(on)max

18.3m @V_GS= 10V

I_D

8.9A

Dual SO-8 MOSFET for POL

converters in desktop, servers,

graphics cards, game consoles

and set-top box

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

SO-8

l Very Low R_DS(on)

Top View

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

8.9

7.1

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.016

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

–––

62.5

Notes through ꢀ are on page 10

www.irf.com

07/09/08

12 3 4 5 6 7...10

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IRF8915TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8915	INFINEON	类似代替	HEXFETPower MOSFET

与IRF8915TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9130	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130	INTERSIL	获取价格	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF9130	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9130	INFINEON	获取价格	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
IRF9130	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9130_03	SEME-LAB	获取价格	P–CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met