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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 81 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9130EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130ECPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130ED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130SMD | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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| IRF9130SMD |
获取价格 |
P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9130SMD05 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRF9131 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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