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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9140EBPBF | INFINEON |
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18A, 100V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9140EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140SCX | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - Screening Level TX |
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| IRF9140SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | LLCC |
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| IRF9141 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9142 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9143 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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