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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9143 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9150 | INTERSIL |
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-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9150 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF9151 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF9204PBF | INFINEON |
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Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance |
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| IRF9230 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9230 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9230 | INTERSIL |
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-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9230 | INFINEON |
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TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A) |
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| IRF9230 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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