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IRF9230PBF PDF预览

IRF9230PBF

更新时间： 2024-11-20 21:03:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 881K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN

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IRF9230PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63雪崩能效等级（Eas）：66 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.92 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9230PBF 数据手册

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PD- 90548E  
IRF9230  
JANTX2N6806  
JANTXV2N6806  
200V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/562  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED  
HEXFET®TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA)  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF9230  
-200V  
-6.5A  
0.80  
TO-3 (TO-204AA)  
Description  
Features  
HEXFET® MOSFET technology is the key to IR Hirel advanced  
line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and  
unique processing of this latest “State of the Art” design  
achieves: very low on-state resistance combined with high trans  
conductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt  
capability.  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,  
Method 1020  
The HEXFET transistors also feature all of the well established  
advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast  
switching and temperature stability of the electrical parameters.  
They are well suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers  
and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -10V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -10V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-6.5  
A
-4.0  
-26  
IDM @TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Pulsed Drain Current  
Maximum Power Dissipation  
75  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
0.60  
± 20  
181  
-6.5  
7.5  
VGS  
EAS  
IAR  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (Typical)  
Weight  
For footnotes refer to the page 2.  
1
2019-07-08  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
1234567

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IRF9230PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9230 INFINEON

功能相似

 TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
IRF9230 INTERSIL

功能相似

 -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

与IRF9230PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9231 INTERSIL

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 		-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9231 SAMSUNG

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 		P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9231 ROCHESTER

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 		6.5A, 150V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF9231 NJSEMI

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 		HEXFET POWER MOSFETS
IRF9232 ROCHESTER

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 		5.5A, 200V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
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