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IRF9230EPBF

更新时间： 2024-10-02 21:03:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 881K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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IRF9230EPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：66 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.92 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9230EPBF 数据手册

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PD- 90548E  
IRF9230  
JANTX2N6806  
JANTXV2N6806  
200V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/562  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED  
HEXFET®TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA)  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF9230  
-200V  
-6.5A  
0.80  
TO-3 (TO-204AA)  
Description  
Features  
HEXFET® MOSFET technology is the key to IR Hirel advanced  
line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and  
unique processing of this latest “State of the Art” design  
achieves: very low on-state resistance combined with high trans  
conductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt  
capability.  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,  
Method 1020  
The HEXFET transistors also feature all of the well established  
advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast  
switching and temperature stability of the electrical parameters.  
They are well suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers  
and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -10V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -10V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-6.5  
A
-4.0  
-26  
IDM @TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Pulsed Drain Current  
Maximum Power Dissipation  
75  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
0.60  
± 20  
181  
-6.5  
7.5  
VGS  
EAS  
IAR  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (Typical)  
Weight  
For footnotes refer to the page 2.  
1
2019-07-08  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
1234567

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与IRF9230EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9230PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF9231 INTERSIL

获取价格

 		-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9231 SAMSUNG

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 		P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9231 ROCHESTER

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 		6.5A, 150V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF9231 NJSEMI

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 		HEXFET POWER MOSFETS
IRF9232 ROCHESTER

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 		5.5A, 200V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF9232 SAMSUNG

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IRF9232 INTERSIL

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 		-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9232 NJSEMI

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 		HEXFET POWER MOSFETS
IRF9233 INTERSIL

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 		-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

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