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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9233 | INTERSIL |
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-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9233 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9233 | ROCHESTER |
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5.5A, 150V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9233 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240 | INTERSIL |
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-11A, -200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9240 | INFINEON |
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TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.5ohm, Id=-11A) |
|
| IRF9240 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9240 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9240 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9240_03 | SEME-LAB |
获取价格 |
P–CHANNEL POWER MOSFET |
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