5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9243 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF924S | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9310 | INFINEON |
获取价格 |
-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
|
| IRF9310PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF9310PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF9310TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IRF9310TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Appilcation |
|
| IRF9310TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF9317 | INFINEON |
获取价格 |
-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
|
| IRF9317PBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
