是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 0.89 |
雪崩能效等级(Eas): | 310 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0072 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF9321PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF9328PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF9328TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IRF9328TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application | |
IRF9332PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF9332TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
IRF9333PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF9335 | INFINEON |
获取价格 |
-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 | |
IRF9335PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF9358 | INFINEON |
获取价格 |
-30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 | |
IRF9358PBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application |