5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF9332PBF
IRF9332PBF PDF预览

IRF9332PBF

更新时间： 2024-10-30 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 284K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF9332PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
雪崩能效等级（Eas）：102 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.8 A
最大漏极电流 (ID)：9.8 A最大漏源导通电阻：0.0175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9332PBF 数据手册

 浏览型号IRF9332PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF9332PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF9332PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF9332PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF9332PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF9332PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97561  
IRF9332PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
-30  
V
RDS(on) max  
(@VGS = -10V)  
17.5  
m
Ω
RDS(on) max  
(@VGS = -4.5V)  
28.1  
14  
m
Ω
Qg (typical)  
nC  
A
SO-8  
ID  
-9.8  
(@TA = 25°C)  
Applications  
• Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application  
• System/Load Switch  
Features and Benefits  
Features  
Resulting Benefits  
results in  
Industry-Standard SO-8 Package  
Multi-Vendor Compatibility  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
Environmentally Friendlier  
⇒
Orderable part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form Quantity  
Note  
IRF9332PbF  
IRF9332TRPbF  
SO8  
SO8  
Tube/Bulk  
Tape and Reel  
95  
4000  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Units  
VDS  
-30  
±20  
-9.8  
-7.8  
-80  
2.5  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
°C  
1.6  
0.02  
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
TJ  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Notes  through † are on page 2  
www.irf.com  
1
09/01/2010  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRF9332PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9332TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

与IRF9332PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9332TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
IRF9333PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF9335 INFINEON

获取价格

 		-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
IRF9335PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF9358 INFINEON

获取价格

 		-30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
IRF9358PBF INFINEON

获取价格

 		Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application
IRF9358TRPBF INFINEON

获取价格

 		Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application
IRF9362 INFINEON

获取价格

 		-30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
IRF9362PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF9362PBF_1 INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET Industry-Standard SO-8 Package

与IRF9332PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证