是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.28 |
雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 9.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0163 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 73 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF9358TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF9358TRPBF | INFINEON |
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Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application | |
IRF9362 | INFINEON |
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-30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 | |
IRF9362PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF9362PBF_1 | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET Industry-Standard SO-8 Package | |
IRF9362PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor | |
IRF9362TRPBF | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET Industry-Standard SO-8 Package | |
IRF9362TRPBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor | |
IRF9383MPBF | INFINEON |
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Transistor, | |
IRF9383MTR1PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRF9383MTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |