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IRF9240-SMD PDF预览

IRF9240-SMD

更新时间： 2024-11-19 22:31:39
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管脉冲高压
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
P-CHANNEL POWER MOSFET

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IRF9240-SMD 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220SM
包装说明：CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：HIGH VOLTAGE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9240-SMD 数据手册

 浏览型号IRF9240-SMD的Datasheet PDF文件第2页 
IRF9240  
IRF9240–SMD  
MECHANICAL DATA  
P–CHANNEL  
25.15 (0.99)  
26.67 (1.05)  
6.35 (0.25)  
9.15 (0.36)  
POWER MOSFET  
10.67 (0.42)  
11.18 (0.44)  
1.52 (0.06)  
3.43 (0.135)  
D
1
2
G
S
3
(case)  
3.84 (0.151)  
4.09 (0.161)  
7.92 (0.312)  
12.70 (0.50)  
FEATURES  
TO–3 Package  
Pin 2 – Source  
Pin 1 – Gate  
Pin 3 – Drain  
• P–CHANNEL POWER MOSFET  
• HIGH VOLTAGE  
0
.
8
9
(
0
.
0
3
5
)
m
i
n
.
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
.
6
0
(
0
.
1
4
2
)
M
a
x
.
• INTEGRAL PROTECTION DIODE  
1
3
• AVAILABLE IN TO-3 (TO-204AA) AND  
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES  
2
9
9
.
.
6
3
7
8
(
(
0
0
.
.
3
3
8
6
1
9
)
)
0
0
.
.
5
2
0
6
(
(
0
0
.
.
0
0
2
1
0
0
)
)
1
1
1
1
.
.
5
2
8
8
(
(
0
0
.
.
4
4
5
4
6
4
)
)
Note: IRFNxxxx also available with  
pins 1 and 3 reversed.  
SMD1  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Source  
Pin 3 – Drain  
TO–3  
— TO–3 (TO–204AA) Metal Package  
TO–220 SM — TO–220 Ceramic Surface Mount Package  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Drain – Source Voltage  
–200V  
–200V  
±20V  
DSS  
DGR  
GS  
Drain – Gate Voltage (R = 20K )  
GS  
Gate – Source Voltage  
I
Continuous Drain Current  
@ T  
@ T  
= 25°C  
–11A  
–7.0A  
–44A  
D
case  
= 100°C  
case  
I
Pulsed Drain Current  
DM  
P
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Inductive Current , Clamped  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
@ T  
= 25°C  
125W  
1W / °C  
–44A  
D
case  
(TO 3 package only)  
I
LM  
T
T
j
(TO 3 package only)  
–55 to 150°C  
stg  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 7/00  
12

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