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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9240 | INTERSIL |
获取价格 |
-11A, -200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9240 | INFINEON |
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TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.5ohm, Id=-11A) |
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| IRF9240 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9240 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9240 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9240_03 | SEME-LAB |
获取价格 |
P–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9240E | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240EAPBF | INFINEON |
获取价格 |
11A, 200V, 0.58ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF9240EB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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