5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF9240
IRF9240 PDF预览

IRF9240

更新时间： 2024-10-01 22:31:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 150K
描述
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.5ohm, Id=-11A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF9240 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.58 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9240 数据手册

 浏览型号IRF9240的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF9240的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF9240的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF9240的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF9240的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF9240的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 90420  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
IRF9240  
200V, P-CHANNEL  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
Product Summary  
Part Number BVDSS RDS(on)  
IRF9240 -200V 0.5Ω  
ID  
-11A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of parelleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 0V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-11  
-7.0  
D
GS  
C
A
I
D
= 0V, T = 100°C  
C
GS  
I
-44  
DM  
@ T = 25°C  
P
125  
W
W/°C  
V
D
C
1.0  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
AS  
I
-11  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
12.5  
-5.0  
mJ  
AR  
dv/dt  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/24/01  
1234567

中文翻译

下载PDF

IRF9240 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6806 INFINEON

功能相似

 POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
IRF9240 INTERSIL

功能相似

 -11A, -200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF9230 INFINEON

功能相似

 TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)

与IRF9240相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9240_03 SEME-LAB

获取价格

 		P–CHANNEL POWER MOSFET
IRF9240E INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240EA INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240EAPBF INFINEON

获取价格

 		11A, 200V, 0.58ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF9240EB INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240EBPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240EC INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240ECPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240ED INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9240EDPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRF9240相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证