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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9243 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF924S | NJSEMI |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9310 | INFINEON |
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-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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| IRF9310PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF9310PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IRF9310TR | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF9310TRPBF | INFINEON |
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Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Appilcation |
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| IRF9310TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF9317 | INFINEON |
获取价格 |
-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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| IRF9317PBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application |
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