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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9243 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF924S | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9310 | INFINEON |
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-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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| IRF9310PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF9310PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF9310TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF9310TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Appilcation |
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| IRF9310TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF9317 | INFINEON |
获取价格 |
-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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| IRF9317PBF | INFINEON |
获取价格 |
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application |
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