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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9240ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240EPBF | INFINEON |
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11A, 200V, 0.58ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9240SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | LLCC |
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| IRF9240SMD | SEME-LAB |
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P–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9240-SMD | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9241 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9241 | NJSEMI |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9242 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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