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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9232 | ROCHESTER |
获取价格 |
5.5A, 200V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9232 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9232 | INTERSIL |
获取价格 |
-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9232 | NJSEMI |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFETS |
|
| IRF9233 | INTERSIL |
获取价格 |
-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF9233 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9233 | ROCHESTER |
获取价格 |
5.5A, 150V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF9233 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240 | INTERSIL |
获取价格 |
-11A, -200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9240 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.5ohm, Id=-11A) |
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