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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9140EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140SCX | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - Screening Level TX |
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| IRF9140SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | LLCC |
|
| IRF9141 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9142 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9143 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9150 | INTERSIL |
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-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
|
| IRF9150 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF9151 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF9204PBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance |
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