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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9142 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9143 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9150 | INTERSIL |
获取价格 |
-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
|
| IRF9150 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF9151 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF9204PBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance |
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| IRF9230 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9230 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRF9230 | INTERSIL |
获取价格 |
-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF9230 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A) |
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