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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9230ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF9230ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF9230EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF9230EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF9230PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF9231 | INTERSIL |
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-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9231 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9231 | ROCHESTER |
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6.5A, 150V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9231 | NJSEMI |
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HEXFET POWER MOSFETS |
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| IRF9232 | ROCHESTER |
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5.5A, 200V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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