5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9140EAPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140EB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140EBPBF | INFINEON |
获取价格 |
18A, 100V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF9140EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140ECPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140ED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9140SCX | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - Screening Level TX |
|
| IRF9140SM | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | LLCC |
|
| IRF9141 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
