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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9140 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9140 | INTERSIL |
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-19A, -100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9140 | INFINEON |
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TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A) |
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| IRF9140 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9140EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140EBPBF | INFINEON |
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18A, 100V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9140EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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