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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-276AB |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-276AB |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9130SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRF9131 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9131 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9132 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9132 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9132 | ROCHESTER |
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10A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9133 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9140 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9140 | INTERSIL |
获取价格 |
-19A, -100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9140 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A) |
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