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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 280 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9132 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9132 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9132 | ROCHESTER |
获取价格 |
10A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF9133 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9140 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF9140 | INTERSIL |
获取价格 |
-19A, -100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9140 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A) |
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| IRF9140 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9140EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9140EAPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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