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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9130ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130SMD | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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| IRF9130SMD |
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P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9130SMD05 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRF9131 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9131 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9132 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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