5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9130EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9130SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
|
| IRF9130SMD |
获取价格 |
P-Channel Power MOSFET |
|
|
| IRF9130SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
|
| IRF9131 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9131 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF9132 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9132 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9132 | ROCHESTER |
获取价格 |
10A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF9133 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
