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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9130
IRF9130 PDF预览

IRF9130

更新时间： 2024-09-29 22:31:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 152K
描述
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

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IRF9130 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
雪崩能效等级（Eas）：81 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9130 数据手册

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PD - 90549C  
IRF9130  
JANTX2N6804  
JANTXV2N6804  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
[REF:MIL-PRF-19500/562]  
100V, P-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF9130  
-100V  
0.30 Ω -11A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of parelleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 0V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-11  
-7.0  
-50  
D
GS  
C
A
I
D
= 0V, T = 100°C  
C
GS  
I
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.60  
±20  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
81  
mJ  
AS  
I
-11  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
-5.5  
-55 to 150  
V/ns  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/22/01  
1234567

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IRF9130 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6804 INFINEON

完全替代

 TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
IRF9140 INFINEON

类似代替

 TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A)

与IRF9130相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9130_03 SEME-LAB

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 		P–CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130E INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EA INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EAPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EB INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EBPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130ECPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130ED INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EDPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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