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JANTX2N6804 PDF预览

JANTX2N6804

更新时间： 2024-11-03 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 152K
描述
TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)

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JANTX2N6804 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.53
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：81 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/562
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N6804 数据手册

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PD - 90549C  
IRF9130  
JANTX2N6804  
JANTXV2N6804  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
[REF:MIL-PRF-19500/562]  
100V, P-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF9130  
-100V  
0.30 Ω -11A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of parelleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 0V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-11  
-7.0  
-50  
D
GS  
C
A
I
D
= 0V, T = 100°C  
C
GS  
I
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.60  
±20  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
81  
mJ  
AS  
I
-11  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
-5.5  
-55 to 150  
V/ns  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/22/01  
1234567

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JANTX2N6804 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9130 INFINEON

完全替代

 TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
2N6804 MICROSEMI

功能相似

 P-CHANNEL MOSFET

与JANTX2N6804相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6806 INFINEON

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 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
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JANTX2N683 MICROSEMI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208
JANTX2N6845 INFINEON

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