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| IRF9130EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9130SMD | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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| IRF9130SMD |
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P-Channel Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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