Datasheet > IRF8915

IRF8915

更新时间： 2024-02-20 16:44:29

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	213K
描述
HEXFETPower MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF8915 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.08
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF8915 数据手册

PD - 95858

IRF8915

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

Dual SO-8 MOSFET for POL

converters in desktop, servers,

graphics cards, game consoles

and set-top box

18.3m @V_GS= 10V

20V

8.9A

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

l Very Low R_DS(on)

SO-8

Top View

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

8.9

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

7.1

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.016

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

–––

62.5

Notes through ꢀ are on page 10

www.irf.com

03/31/04

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

IRF8915 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8915TRPBF	INFINEON	类似代替	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop

与IRF8915相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF8915PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF8915PBF_08	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF8915TRPBF	INFINEON	获取价格	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop
IRF9130	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130	INTERSIL	获取价格	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF9130	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9130	INFINEON	获取价格	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
IRF9130	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9130_03	SEME-LAB	获取价格	P–CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met