Datasheet > IRF9130

IRF9130

更新时间： 2024-02-23 03:33:50

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
P-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF9130 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF9130 数据手册

IRF9130

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

P–CHANNEL

POWER MOSFET

39.95 (1.573)

max.

30.40 (1.197)

30.15 (1.187)

17.15 (0.675)

16.64 (0.655)

V_DSS

–100V

–11A

0.2

4.09 (0.161)

3.84 (0.151)

dia.

I_D(cont)

R_DS(on)

2 plcs.

FEATURES

• HERMETICALLY SEALED TO–3 METAL

PACKAGE

20.32 (0.800)

18.80 (0.740)

dia.

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

1.09 (0.043)

0.97 (0.038)

dia.

2 plcs.

TO–3 Metal Package

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Source

Case – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

–11A

(V = 0 , T

= 25°C)

case

(V = 0 , T

= 100°C)

–7.0A

case

Pulsed Drain Current

–50A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

75W

Linear Derating Factor

0.6W/°C

81mJ

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

–11A

Repetitive Avalanche Energy

7.5mJ

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

–5.5V/ns

–55 to +150°C

300°C

Operating and Storage Temperature Range

Lead Temperature 1.6mm (0.63”) from case for 10 sec.

stg

Notes

1) Repetitive Rating – Pulse width limited by maximum junction temperature.

2) @ V = –25V , L 1.0mH , R = 25 , Peak I = –11A , Starting T = 25°C

3) @ I

–11A , di/dt –140A/ s , V

, T

150°C , Suggested R = 7.5

DSS

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 10/99

中文翻译

下载PDF

与IRF9130相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9130_03	SEME-LAB	获取价格	P–CHANNEL POWER MOSFET
IRF9130E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130ECPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EDPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9130EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRF9130相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

15
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

13
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

13
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF9130

IRF9130 技术参数

IRF9130 数据手册

与IRF9130相关器件

与IRF9130相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF9130

IRF9130 技术参数

IRF9130 数据手册

与IRF9130相关器件

与IRF9130相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？