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IRF8910PBF

更新时间: 2024-11-19 03:35:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 249K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRF8910PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.46
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):19 mJ
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):10 A最大漏源导通电阻:0.0134 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):82 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF8910PBF 数据手册

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PD-95673  
IRF8910PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
20V  
RDS(on) max  
13.4m @VGS = 10V  
ID  
10A  
l Dual SO-8 MOSFET for POL  
converters in desktop, servers,  
graphics cards, game consoles  
and set-top box  
l Lead-Free  
1
2
3
4
8
7
S1  
G1  
D1  
D1  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
6
5
S2  
D2  
D2  
G2  
SO-8  
Top View  
l 20V VGS Max. Gate Rating  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
20  
Units  
V
VDS  
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
10  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
8.3  
82  
A
DM  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
2.0  
1.3  
W
D
D
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.016  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
JL  
–––  
62.5  
JA  
Notes  through are on page 10  
www.irf.com  
1
8/11/04  

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