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IRF8736TR

更新时间： 2024-09-29 17:15:31

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
8页	526K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:18A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:4.8mΩ@10V;漏源导通电阻:6.8mΩ@4.5V

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IRF8736TR 数据手册

IRF8736

30V N-Channel MOSFET

UMW

Applications

Synchronous MOSFET for Notebook

Processor Power

•

Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

•

Top View

Benefits

Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

Low Gate Charge

•

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

100% Tested for R_G

Lead -Free

•

VDS (V) = 30V

(V_GS= 10V)

•

ID = -18A

RDS(ON)

4.8m

＜

Ω(V

=10V)

6.8m

Ω(V

RDS(ON) ＜

•

=4.5V)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

14.4

144

2.5

Power Dissipation

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.6

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

Units

R_θJL

R_θJA

°C/W

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

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