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IRF8721TRPBF-1

更新时间： 2024-11-02 14:51:35

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9页	207K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET

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IRF8721TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF8721TRPBF-1 数据手册

IRF8721PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

8.5

8.3

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

I_D

(@T_A= 25°C)

SO-8

Top View

Applications

Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power

Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems

Features

Benefits

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Industrial qualification

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF8721PbF-1

IRF8721TRPbF-1

IRF8721PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

± 20

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

110

2.5

1.6

@T_A= 25°C Power Dissipation

@T_A= 70°C Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

W/°C

°C

-55 to + 150

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

Junction-to-Drain Lead

R_θJL

R_θJA

Junction-to-Ambient

–––

Notes through ꢀ are on page 9

October 02, 2013

12 3 4 5 6 7...9

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