IRF8910

更新时间： 2024-02-28 00:48:30

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描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF8910 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.13	Base Number Matches：	1

IRF8910 数据手册

PD - 95868

IRF8910

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

20V

R_DS(on)max

13.4m @V_GS= 10V

I_D

10A

l Dual SO-8 MOSFET for POL

converters in desktop, servers,

graphics cards, game consoles

and set-top box

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 20V V_GSMax. Gate Rating

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

8.3

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.0

1.3

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.016

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θ

–––

62.5

Notes through ꢀ are on page 10

www.irf.com

4/28/04

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