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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF8734TRPBF
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IRF8734TRPBF

更新时间： 2024-11-02 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 274K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF8734TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.88雪崩能效等级（Eas）：216 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：168 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF8734TRPBF 数据手册

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PD - 96226  
IRF8734PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Synchronous MOSFET for Notebook  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg (typ.)  
20nC  
3.5m @VGS = 10V  
Processor Power  
l Synchronous Rectifier MOSFET for  
Isolated DC-DC Converters in  
Networking Systems  
A
A
D
1
8
S
Benefits  
2
7
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l 100% Tested for RG  
l Lead-Free  
3
6
S
D
4
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
30  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
± 20  
V
GS  
21  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
17  
A
@ TA = 70°C  
168  
DM  
2.5  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
D
D
W
W/°C  
°C  
1.6  
Power Dissipation  
0.02  
Linear Derating Factor  
-55 to + 150  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T
T
J
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJL  
RθJA  
°C/W  
–––  
50  
Notes  through ꢀ are on page 10  
ORDERING INFORMATION:  
See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet.  
www.irf.com  
1
2/12/09  
1234567...10

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IRF8734TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF8734PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET

与IRF8734TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF8736 INFINEON

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 		30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
IRF8736PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF8736PBF-1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
IRF8736TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF8736TRPBF INFINEON

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 		Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
IRF8736TRPBF-1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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 		Power Field-Effect Transistor
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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