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SI4170DY-T1-GE3 PDF预览

SI4170DY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-23 12:35:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 268K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOIC-8

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SI4170DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4170DY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4170DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
30  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
RoHS  
0.0035 at VGS = 10 V  
0.0045 at VGS = 4.5 V  
COMPLIANT  
30  
29 nC  
27  
100 % Avalanche Tested  
APPLICATIONS  
•
Notebook PC Core  
- Low Side Switch  
SO-8  
D
S
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
D
D
G
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4170DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
30  
22.8  
21.8b, c  
17.3b, c  
70  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
5.4  
2.7b, c  
40  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
80  
6
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.3  
PD  
Maximum Power Dissipation  
3.0b, c  
1.9b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
33  
16  
42  
21  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 68396  
S-81054-Rev. A, 12-May-08  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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SI4170DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4166DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 20.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PHK28NQ03LT,518 NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 8-Pin

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		Specification Status: Released
SI4172DY-T1-GE3 VISHAY

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