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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.83 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 4.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Silver (Ag) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4174DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4176DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| SI4176DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| SI4178DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4186DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4186DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI4190ADY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| Si4190BDY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SI4190DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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