FDS6680A

更新时间： 2024-11-10 22:49:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	103K
描述
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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FDS6680A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.89
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12.5 A
最大漏极电流 (ID)：	12.5 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6680A 数据手册

November 2004

FDS6680A

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench^®MOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor’s advanced Power

Trench process that has been especially tailored to

minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

• 12.5 A, 30 V R_DS(ON)= 9.5 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 13 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• Ultra-low gate charge

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

12.5

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

P_D

1.2

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6680A

13’’

12mm

2500 units

FDS6680A Rev F1(W)

12 3 4 5

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FDS6680A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS7760A	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI4162DY-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
STS11NF30L	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

与FDS6680A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6680A_12	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchÂ®
FDS6680A_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDS6680AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680A-NBBI005A	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，12.5A，9.5
FDS6680AS	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680AS	ONSEMI	获取价格	N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，11.5A，10.0mΩ
FDS6680AS_08	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680AS_NL	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6680D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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