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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6680AS_NL
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FDS6680AS_NL

更新时间： 2024-09-22 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 552K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS6680AS_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A
最大漏极电流 (ID)：11.5 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6680AS_NL 数据手册

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March 2005  
FDS6680AS  
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6680AS is designed to replace a single SO-8  
MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
•
11.5 A, 30 V. RDS(ON) max= 10.0 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) max= 12.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
•
•
•
Includes SyncFET Schottky body diode  
Low gate charge (22nC typical)  
RDS(ON)  
and low gate charge.  
The FDS6680AS  
includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDS6680AS as the low-side switch in  
a
synchronous rectifier is indistinguishable from the  
performance of the FDS6680 in parallel with a Schottky  
diode.  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON) and fast switching  
•
High power and current handling capability  
Applications  
• DC/DC converter  
• Low side notebooks  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
11.5  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDS6680AS  
Device  
Reel Size  
13’’  
Tape width  
12mm  
Quantity  
FDS6680AS  
2500 units  
2500 units  
FDS6680AS  
FDS6680AS_NL (Note 4)  
13’’  
12mm  
FDS6680AS Rev B(X)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS6680AS_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6680AS ONSEMI

功能相似

 N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，11.5A，10.0mΩ
FDS6680AS FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6680D84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6680S FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDS6681Z FAIRCHILD

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 		30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6681Z ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-20A，4.6mΩ
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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDS6682 FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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 		30V N沟道PowerTrench® MOSFET
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDS6682_05 FAIRCHILD

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