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FDS6685F011

更新时间： 2024-09-23 19:53:35

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	222K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6685F011 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8.8 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6685F011 数据手册

October 2000

FDS6685

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

• -8.8 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.020 Ω @ V_GS= -10 V

R_DS(ON)= 0.035 Ω @ V_GS= -4.5 V

• Extended V_GSSrange (±25V) for battery applications.

• Low gate charge (19nC typical).

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• Fast switching speed.

• High performance trench technology for extremely

Applications

low R_DS(ON)

• Battery protection

• Load switch

• High power and current handling capability.

• Motor drives

SO-8

Absolute Maximum Ratings ^T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-8.8

-50

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1a)

(Note 1b)

1.2

(Note 1c)

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θ

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDS6685

13’’

12mm

2500 units

2000 Fairchild Semiconductor International

FDS6685 Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6685L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS6685-NBCM003A	ONSEMI	获取价格	P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-8.8A，20mΩ
FDS6688	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6688_04	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6688AS	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™
FDS6688F011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6688L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6688S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6688S_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6689S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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